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AOD2N100

数据列表 AOD2N100;
TO252 (DPAK) Pkg Drawing;
标准包装 2,500
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -


规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 1000V（1kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 580pF @ 25V
Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 83W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9 欧姆 @ 1A，10V
工作温度 -50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
 

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