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AO4435

数据列表 AO4435 Datasheet;
SO8 Pkg Drawing;
标准包装 3,000
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -

规格

FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 15V
Vgs（最大值） ±25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 14 毫欧 @ 11A，20V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
 

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