电话:0755-88600801 传真:0755-88600656 1 设为首页 2 3 加入收藏
你的位置:首页 >> 产品展示
AOTF11N70
AOTF11N70介绍
数据列表 AOT(F)11N70(L);
TO220F Pkg Drawing;
标准包装 1,000
包装 管件 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET
漏源极电压(Vdss) 700V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2150pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 50W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 870 毫欧 @ 5.5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3F
封装/外壳 TO-220-3 整包
 
 上一篇:AOT470
 下一篇:FQT1N60

在线客服

点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
在线客服系统