电话:0755-88600801 传真:0755-88600656 1 设为首页 2 3 加入收藏
产品资讯
你的位置:MOS管首页>>IR优势库存>>IRF640NS

IRF640NS

数据列表 IRF640N(S,L)PbF;
标准包装 800
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 67nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1160pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 11A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
 

在线客服
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
在线客服系统

关于我们

公司简介

企业文化

公司优势

组织架构

产品中心

产品展示

产品资讯

产品库存

优势库存

优势库存

ST优势库存

NXP优势库存

IR优势库存

联系我们

联系方式

人才招聘

办公地址:深圳市福田区华强北世纪汇广场都会轩4511室
电话:0755-88600801
传真:0755-88600656
版权所有 深圳市雅迪斯电子有限公司
在线客服系统

专业MOS管厂家,场效应管,集成电路,电源IC,FPGA元器件
粤ICP备16040611号-1
 技术支持:大江网络