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IRLB3813
数据列表
IRLB3813PbF;
标准包装
50
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
HEXFET®
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET
漏源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
260A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
86nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
8420pF @ 15V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
230W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
1.95 毫欧 @ 60A,10V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
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