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IRLR3636

 

数据列表 IRL(R,U)3636PBF;
标准包装 2,000
包装 标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 49nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3779pF @ 50V
Vgs（最大值） ±16V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 143W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 6.8 毫欧 @ 50A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
 

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