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IRFS4229

一般信息

数据列表 IRFS4229PBF;
 
标准包装   800
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 IRFS4229TRLPBF-ND 
IRFS4229TRLPBFTR 
SP001557392 
 


规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET (Metal Oxide)
漏源极电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 45A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 48 毫欧 @ 26A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 4560pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 330W (Tc)
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装 D²PAK(TO-263AB)


 

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