| FET 类型 |
N 沟道 |
| 技术 |
MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源极电压（Vdss） |
150V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） |
23A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） |
90 毫欧 @ 14A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） |
5.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） |
56nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） |
1200pF @ 25V |
| FET 功能 |
- |
| 功率耗散（最大值） |
3.8W (Ta), 136W (Tc) |
| 工作温度 |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 |
表面贴装 |
| 封装/外壳 |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 |
D2PAK |
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