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PSMN1R7-30YL

一般信息

数据列表 PSMN1R7-30YL
 
标准包装   1,500
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 -
其它名称 568-4678-2 
934063068115 
PSMN1R7-30YL T/R 
 


规格

FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.7 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 77.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 5057pF @ 12V
功率 - 最大值 109W
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商器件封装 LFPAK， 电源-SO8


 

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