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PHB20N06T

一般信息

数据列表 PHP20N06T,PHB20N06T
 
标准包装   800
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 TrenchMOS™
其它名称 568-5938-2 
934056615118 
PHB20N06T /T3 
PHB20N06T /T3-ND 
PHB20N06T,118-ND 
PHB20N06T118 
 


规格

FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.3A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 75 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 483pF @ 25V
功率 - 最大值 62W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK


 

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