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STU4N62K3
数据列表
STx(I)4N62K3;
标准包装
75
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
SuperMESH3™
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
620V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
550pF @ 50V
Vgs(最大值)
±30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
70W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 1.9A,10V
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
I-Pak
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
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