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STW48NM60N

 

数据列表 STW48NM60N;
标准包装 30
包装 管件 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 MDmesh™ II

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 124nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4285pF @ 50V
Vgs（最大值） ±25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 330W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 70 毫欧 @ 20A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
封装/外壳 TO-247-3
 

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