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STD13N60M2

 

数据列表 ST(B,D)13N60M2;
标准包装 2,500
包装  标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 MDmesh™ II Plus

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 580pF @ 100V
Vgs（最大值） ±25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 110W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 5.5A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK
 

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