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STB20NM50

一般信息

数据列表 STB20NM50(-1), STP20NM50(FP)
 
标准包装   1,000
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 MDmesh™
其它名称 497-5312-2 
Q1966796 
STB20NM50T4-ND 
 


规格

FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 550V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 1480pF @ 25V
功率 - 最大值 192W
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK


 

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