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STB13NM60N

一般信息

数据列表 ST(B,D)13NM60N Datasheet
 
标准包装   1,000
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 MDmesh™ II
其它名称 497-10984-2 
STB13NM60N-ND 
 


规格

FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 360 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 790pF @ 50V
功率 - 最大值 90W
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK


 

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