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STB10N60M2

 

产品详情

 

商品名称：STB10N60M2

 

一般信息
数据列表 STB10N60M2
标准包装   1
包装   剪切带（CT） 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 MDmesh™ II Plus
其它名称 497-14528-1 

规格
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.5A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 13.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 400pF @ 100V
功率 - 最大值 85W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK

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