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FQD10N20L

数据列表 D-PAK Tape and Reel Data;
FQD10N20L;
标准包装 2,500
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 QFET®


规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5V
Vgs（最大值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 830pF
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），51W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 360 毫欧 @ 3.8A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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