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TK42A12N1

数据列表 TK42A12N1;
标准包装 50
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 U-MOSVIII-H


规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 120V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10V
Vgs（最大值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 35W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9.4 毫欧 @ 21A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220SIS
封装/外壳 TO-220-3 全封装，隔离接片

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