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IPW60R125CP

数据列表 IPW60R125CP;
标准包装 240
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 CoolMOS™


规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 100V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 208W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 125 毫欧 @ 16A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3

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