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AON6816

数据列表 AON6816;
DFN5x6-8L-EP2 Pkg Drawing;
标准包装 3,000
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
系列 -

规格

FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6.2 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1540pF @ 15V
功率 - 最大值 2.8W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerSMD,扁平引线
供应商器件封装 8-DFN(5x6)

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