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SGH40N60UFD

数据列表 SGH40N60UFD;
标准包装 30
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
系列 -


规格

IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿（最大值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 160A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.6V @ 15V，20A
功率 - 最大值 160W
开关能量 160µJ（开），200µJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 97nC
25°C 时 Td（开/关）值 15ns/65ns
测试条件 300V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 60ns
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装 TO-3PN

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