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AOT410L

数据列表 AOT410L;
TO220 Pkg Drawing;
标准包装 1,000
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 SDMOS™

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta），150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 7V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 129nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7950pF @ 50V
Vgs（最大值） ±25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.9W（Ta），333W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 6.5 毫欧 @ 20A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
 

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