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IPD50N04S4L-08

标准包装 2,500
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 17µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2340pF @ 25V
Vgs(最大值) +20V,-16V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 46W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 7.3 毫欧 @ 50A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3-313
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
 

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