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AOI2210

数据列表 AOx2210;
TO251A Pkg Drawing;
标准包装 4000
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2065pF @ 100V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），100W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 105 毫欧 @ 18A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251A
封装/外壳 TO-251-3 短截引线，IPak
 

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