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FDV302P

数据列表 FDV302P;
Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

规格

FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 0.31nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 11pF @ 10V
Vgs（最大值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 350mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 10 欧姆 @ 200mA，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
 

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