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TK16V60W

 

数据列表 TK16V60W;
标准包装 2,500
包装 标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 DTMOSIV

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15.8A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 790µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 300V
FET 功能 超级结
功率耗散（最大值） 139W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 7.9A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 5-DFN（8x8）
封装/外壳 4-VSFN 裸露焊盘

 

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