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AOH3110

 

数据列表 AOH3110;
SOT-223-4L Pkg Drawing;
标准包装 2,500
包装 标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 100pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 700 毫欧 @ 900mA，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装 SOT-223
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
 

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