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AO4724

 

数据列表 AO4724;
SO8 Pkg Drawing;
标准包装 3,000
包装 标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 SRFET™

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.7A(Ta)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 15V
FET 功能 肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值) 1.7W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 17.5 毫欧 @ 10.5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
 

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