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AOD7S60

 

数据列表 AO(D,U)7S60;
TO252 (DPAK) Pkg Drawing;
标准包装  2,500
包装  标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 aMOS™

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 372pF @ 100V
Vgs(最大值) ±30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 83W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 3.5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
 

 

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