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AO4421

数据列表 AO4421 Datasheet;
SO8 Pkg Drawing;
 
标准包装  3,000
包装  标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

规格

FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET
漏源极电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2900pF @ 30V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 6.2A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC

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