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FQA38N30

 

数据列表 FQA38N30;
标准包装  30
包装  管件 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 QFET®

规格

 

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET
漏源极电压（Vdss） 300V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38.4A（Tc）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 290W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 85 毫欧 @ 19.2A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3PN
 

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