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FQPF3N80C
数据列表
FQP3N80C, FQPF3N80C;
标准包装
50
包装
管件
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
QFET®
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
16.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
705pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
39W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220F
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2SK3569
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