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FQPF3N80C

 

数据列表 FQP3N80C, FQPF3N80C;
标准包装  50
包装  管件 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 QFET®

规格

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 16.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 705pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 39W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商器件封装 TO-220F
 

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