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IRF9540N

 

数据列表 IRF9540NPbF;
标准包装 50
包装  管件 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®

规格

FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（Metal Oxide）
漏源极电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 23A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 117 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 97nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 1300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 140W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
 

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