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IPD090N03L G

一般信息

数据列表 IP(D,F,S,U)090N03LG
 
标准包装   2,500
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 OptiMOS™
其它名称 IPD090N03L G 
IPD090N03LG 
IPD090N03LGATMA1TR 
IPD090N03LGINTR 
IPD090N03LGINTR-ND 
IPD090N03LGXT 
SP000680636 
 


规格

FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1600pF @ 15V
功率 - 最大值 42W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3


 

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