电话:0755-88600801 传真:0755-88600656 1 设为首页 2 3 加入收藏
产品资讯
你的位置:MOS管首页>>优势库存>>IPD060N03L G

IPD060N03L G

一般信息

数据列表 IP(D,F,S,U)060N03L G
 
标准包装   2,500
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 OptiMOS™
其它名称 IPD060N03L G 
IPD060N03LG 
IPD060N03LGATMA1TR 
IPD060N03LGINTR 
IPD060N03LGINTR-ND 
IPD060N03LGXT 
SP000680632 
 


规格

FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 2400pF @ 15V
功率 - 最大值 56W
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3


 

在线客服
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
点击这里给我发消息
在线客服系统

关于我们

公司简介

企业文化

公司优势

组织架构

产品中心

产品展示

产品资讯

产品库存

优势库存

优势库存

ST优势库存

NXP优势库存

IR优势库存

联系我们

联系方式

人才招聘

办公地址:深圳市福田区华强北世纪汇广场都会轩4511室
电话:0755-88600801
传真:0755-88600656
版权所有 深圳市雅迪斯电子有限公司
在线客服系统

专业MOS管厂家,场效应管,集成电路,电源IC,FPGA元器件
粤ICP备16040611号-1
 技术支持:大江网络