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FDD5N60NZ

一般信息

数据列表 FDD5N60NZ
 
标准包装   2,500
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 UniFET-II™
其它名称 FDD5N60NZTM-ND 
FDD5N60NZTMTR 
 


规格

FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 600pF @ 25V
功率 - 最大值 83W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装 D-Pak


 

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