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FQD3N60C

一般信息

数据列表 FQD3N60CTM_WS
 
标准包装   2,500
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 QFET®
其它名称 FQD3N60CTM_WS-ND 
FQD3N60CTM_WSTR 
 


规格

FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.4A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.4 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 565pF @ 25V
功率 - 最大值 50W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装 D-Pak


 

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