FET 类型 | N 沟道 |
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技术 | MOSFET |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 33A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 48nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2135pF @ 25V |
Vgs(最大值) | ±30V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 235W(Tc) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 94 毫欧 @ 16.5A,10V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220-3 |